توضیحات
ماسفت IRFP260N نوع N-Channel برند IR
ویژگی محصول:
Type Designator: IRFP260N
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 300 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 50 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 234 nC
Rise Time (tr): 60 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 603 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.04 Ohm
شما هم میتوانید در مورد این کالا نظر بدهید.
برای ثبت نظر، از طریق دکمه افزودن دیدگاه جدید نمایید. اگر این محصول را قبلا خریده باشید، نظر شما به عنوان خریدار ثبت خواهد شد.
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.